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IPT65R099CFD7XTMA1

1个N沟道耐压:650V

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描述: 最新的 650V 产品扩展了 CFD7 系列的电压等级，是 650V CoolMOS CFD2 的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如 LLC 和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT65R099CFD7XTMA1
商品编号: C3281864
商品封装: TOLL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.952克(g)

商品参数

商品概述

RFM15N05L、RFM15N06L、RFP15N05L和RFP15N06L是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用而设计。这些型号可直接由集成电路驱动。 RFM系列采用JEDEC TO - 204AA钢制封装，RFP系列采用JEDEC TO - 220AB塑料封装。

商品特性

15A、50V和60V
导通状态下的漏源电阻RDS(ON) = 0.14Ω
针对5V栅极驱动进行优化设计
可直接由QMOS、NMOS、TTL电路驱动
符合汽车驱动要求
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载流子器件

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	28A
	导通电阻(RDS(on))	87mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	167W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	39nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.942nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	32pF