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IPT65R099CFD7XTMA1
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- 最新的 650V 产品扩展了 CFD7 系列的电压等级，是 650V CoolMOS CFD2 的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如 LLC 和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT65R099CFD7XTMA1
- 商品编号
- C3281864
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.942nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
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