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SCTWA60N120G2-4
SCTWA60N120G2-4
描述
碳化硅功率MOSFET 1200 V、35 mOhm（典型值），60 A，HiP247封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
SCTWA60N120G2-4商品编号
C3281096商品封装
TO-247-4包装方式
管装
商品毛重
8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| Vds-漏源击穿电压 | 1200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| Id-漏极电流(25℃) | 60A | |
| Pd-功耗 | 388W |
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