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STW70N65DM6-4
N通道,电流:68A,耐压:650V
- 描述
- 采用 TO247-4 封装的 N 沟道 650 V、36 mOhm（典型值）、68 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW70N65DM6-4
- 商品编号
- C3281101
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并且每单位面积的导通电阻（RDS(on)）有显著改善，其开关性能在市场上最为出色，适用于对效率要求极高的桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比,单位面积RDS(ON)更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 耐受能力
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源引脚,具备出色的开关性能
应用领域
- 开关应用