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STW70N65DM6-4
N通道,电流:68A,耐压:650V
- 描述
- 采用 TO247-4 封装的 N 沟道 650 V、36 mOhm（典型值）、68 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW70N65DM6-4
- 商品编号
- C3281101
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(30个/管，最小起订量 33 个)个
起订量：33 个30个/管
总价金额：
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