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SIHG33N60E-E3

N沟道 MOSFET,电流:33A,耐压:600V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHG33N60E-E3
商品编号: C3281122
商品封装: TO-247AC
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各类追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III HF版本具备快速恢复能力，可提高高速开关应用中的效率。

商品特性

低品质因数 (FOM):导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
低输入电容 (Ciss)
降低开关和导通损耗
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	33A
	导通电阻(RDS(on))	99mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	278W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	150nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.508nF
	反向传输电容(Crss)	6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道