SIHG20N50E-GE3
N沟道 MOSFET,电流:19A,耐压:500V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG20N50E-GE3
- 商品编号
- C3281131
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 184mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和导通损耗
- 低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-计算机领域-个人电脑银色机箱/ATX电源-照明-两级LED照明-消费电子-使用硬开关拓扑的应用-功率因数校正(PFC)-双开关正激变换器-反激式变换器-开关模式电源(SMPS)
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