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IRFPC50APBF

1个N沟道耐压:600V 电流:11A

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描述: 特性：低栅极电荷Qg，降低驱动要求。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。完全表征了电容、雪崩电压和电流。规定了有效的Coss。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：开关模式电源（SMPS）。不间断电源
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFPC50APBF
商品编号: C3281142
商品封装: TO-247AC
包装方式: 管装
商品毛重: 7.16克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但由于其安装孔为绝缘设计，性能更优。它还能提供更大的引脚爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。

商品特性

动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
中央安装孔绝缘
快速开关
易于并联
驱动要求简单

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	11A
	导通电阻(RDS(on))	580mΩ@10V,6A
	耗散功率(Pd)	180W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	70nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.1nF@25V
	反向传输电容(Crss)	9.7pF
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	270pF