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SUD23N06-31L-T4BE3实物图
  • SUD23N06-31L-T4BE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SUD23N06-31L-T4BE3

1个N沟道 耐压:60V 电流:9.1A 电流:21.4A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SUD23N06-31L-T4BE3
商品编号
C3281463
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9.1A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)31.25W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
输入电容(Ciss)670pF@25V
反向传输电容(Crss)60pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFUC、SiHFUC系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

  • 动态dV/dt额定值
  • 重复雪崩额定值
  • 表面贴装(IRFRC20、SiHFRC20)
  • 直引脚(IRFUC20、SiHFUC20)
  • 提供卷带包装
  • 快速开关
  • 易于并联

数据手册PDF