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SIHD6N80AE-GE3实物图
SIHD6N80AE-GE3商品缩略图
SIHD6N80AE-GE3商品缩略图
SIHD6N80AE-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

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SIHD6N80AE-GE3

1个N沟道 耐压:800V 电流:3.2A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHD6N80AE-GE3
商品编号
C3281470
商品封装
TO-252AA
包装方式
管装
商品毛重
0.78克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))826mΩ@10V,2A
耗散功率(Pd)62.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)22.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)422pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

梯度价格

梯度
售价
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1+¥10.51
10+¥8.86
30+¥7.96¥597
100+¥6.2¥465
500+¥5.75¥431.25
1000+¥5.55¥416.25

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