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SIHD6N80AE-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:3.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD6N80AE-GE3
- 商品编号
- C3281470
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 422pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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