SIHD6N80AE-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:3.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD6N80AE-GE3
- 商品编号
- C3281470
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.78克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
导通电阻(RDS(on)) | 826mΩ@10V,2A | |
耗散功率(Pd) | 62.5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 422pF | |
反向传输电容(Crss) | 4pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+¥10.51
10+¥8.86
30+¥7.96¥597
100+¥6.2¥465
500+¥5.75¥431.25
1000+¥5.55¥416.25
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
0
购买数量
(75个/管,最小起订量 1 个 )个
起订量:1 个75个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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