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SQD100N02_3M5L4GE3

汽车级N沟道20V MOSFET,电流:100A,耐压:20V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQD100N02_3M5L4GE3
商品编号: C3281497
商品封装: TO-252AA
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的可靠性和系统效率。

商品特性

沟槽式场效应功率MOSFET
100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
通过AEC-Q101认证
符合RoHS标准
无卤

应用领域

消费类应用-LED电视-同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	4.5mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	83W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	110nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.3nF
	反向传输电容(Crss)	800pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	5.5nF