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SQM120P10_10M1LGE3
1个P沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM120P10_10M1LGE3
- 商品编号
- C3281565
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.150375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5nF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源
- 交流电机驱动器
- 高速功率开关应用