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SQM100P10-19L_GE3
1个P沟道 耐压:100V 电流:93A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM100P10-19L_GE3
- 商品编号
- C3281588
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.149875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 93A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC | |
| 输入电容(Ciss) | 14.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
AOT27S60L、AOB27S60L、AOTF27S60L和AOTF27S60采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并具备有保证的雪崩能力，这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证