IXFA34N65X3
N沟道增强型MOSFET,电流:34A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFA34N65X3
- 商品编号
- C3281609
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.2V@2.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。 NP二极管是一种超快整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 12 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 61 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 5.0 V、漏极电流（ID） = 12 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 64 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值22.2 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值42 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED显示器背光源
- LED电视背光源
- LED照明
- 消费电器、DC-DC转换器（升压和降压）