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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDB8444TS

N沟道,电流:70A,耐压:40V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDB8444TS
商品编号
C3281628
商品封装
TO-263-5​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)181W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)169nC@10V
输入电容(Ciss)8.41nF
反向传输电容(Crss)485pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)765pF

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 70 A 条件下,典型 rDS(on) = 3.8 m Ω
  • 在 VGS = 10 V 条件下,典型 Qg(TOT) = 130 nC
  • 低米勒电荷
  • 低 Qrr 体二极管
  • 具备单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
  • 符合AEC Q101标准
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力系统管理
  • 螺线管和电机驱动器
  • 电子变速器
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V系统的主开关

数据手册PDF