FDB8444TS
N沟道,电流:70A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8444TS
- 商品编号
- C3281628
- 商品封装
- TO-263-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 181W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 169nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 485pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 765pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 高压封装
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-PFC 电路-交流和直流电机驱动器-机器人和伺服控制