HUF76139S3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76139S3ST
- 商品编号
- C3281674
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 0.0075Ω
- 75A、50V。在VGS = 5V时，RDS(ON) = 0.010Ω
- 驱动要求低，可直接由逻辑驱动器驱动。VGS(TH) < 2.0V
- 坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器
- 最高结温额定值为175°C
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 提供TO - 220和TO - 263 (D²PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用