FDB8160
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8160
- 商品编号
- C3281691
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 254W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 243nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.825nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）电路，能实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下,典型rDS(on) = 1.5 mΩ
- 在VGS = 10 V条件下,典型Qg(10) = 187 nC
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 12V汽车负载控制
- 起动机/交流发电机系统
- 电子动力转向系统
- DC/DC转换器