SFF9250L
P沟道 MOSFET,电流:-12.6A,耐压:-200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFF9250L
- 商品编号
- C3281827
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 雪崩耐用技术
- 耐用栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:在VDS = -200V时为10μA(最大值)
- 更低的RDS(ON):0.175 Ω(典型值)