SD214DE TO-72 4L
N沟道,电流:50mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- SD214DE TO-72 4L
- 商品编号
- C3281846
- 商品封装
- TO-72-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路