FQA10N80C
800V N沟道 MOSFET,电流:10A,耐压:800V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA10N80C
- 商品编号
- C3281782
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
专为频率范围在764至941 MHz的移动双向无线电应用而设计。这些器件的高增益、耐用性和宽带性能使其非常适合用于移动无线电设备中的大信号共源放大器应用。
商品特性
- 10A、800V,VGS = 10V时,RDS(ON) = 1.1Ω
- 低栅极电荷(典型值44nC)
- 低Crss(典型值15pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善dv/dt能力
应用领域
- 800 MHz集群频段移动无线电输出级
- 900 MHz集群频段移动无线电输出级