FQA10N80C
800V N沟道 MOSFET,电流:10A,耐压:800V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA10N80C
- 商品编号
- C3281782
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
专为频率范围在764至941 MHz的移动双向无线电应用而设计。这些器件的高增益、耐用性和宽带性能使其非常适合用于移动无线电设备中的大信号共源放大器应用。
商品特性
- 工作频率范围为764至941 MHz
- 输入和输出无需匹配，可实现宽频率范围应用
- 集成ESD保护
- 集成稳定性增强功能
- 宽带——全频段（764 - 870 MHz）满功率输出
- 采用可承受225°C高温的塑料封装
- 出色的热性能
- 适用于TETRA、SSB、LTE的高线性度
- 经济高效的包覆成型塑料封装
- 采用卷带包装。后缀R1表示每卷500个，卷带宽度24 mm，卷轴直径13英寸。
应用领域
- 800 MHz集群频段移动无线电输出级
- 900 MHz集群频段移动无线电输出级