- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK2729-E
N通道MOSFET,电流:20A,耐压:500V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2729-E
- 商品编号
- C3281811
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品特性
~~- 国际标准封装-雪崩额定-耐用的PolarP™工艺-低封装电感-快速本征二极管-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备