FQA11N90
N沟道, 电流:11.4A, 耐压:900V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA11N90
- 商品编号
- C3281791
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 960mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条状DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 11.4 A、900 V,RDS(on)=960 mΩ(最大值),@VGS = 10 V,ID = 5.7 A
- 低栅极电荷(典型值72 nC)
- 低Crss(典型值30 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器