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2SK1835-E
1个N沟道 耐压:1.5kV 电流:4A
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- 描述
- 特性：高击穿电压 (VDSS = 1500 V)。 高速开关。 低驱动电流。 无二次击穿。 适用于开关稳压器。应用：高速功率开关
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1835-E
- 商品编号
- C3281799
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
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