IXTQ22N60P
N沟道增强型MOSFET,电流:22A,耐压:600V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTQ22N60P
- 商品编号
- C3281805
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品概述
2N6757和2N6758是n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。 这些型号采用JEDEC TO - 204AA钢制封装。
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高