FQA6N90
N沟道,电流:6.4A,耐压:900V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA6N90
- 商品编号
- C3281794
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
RFM10N45和RFM10N50为n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极晶体管驱动器等应用。这些晶体管可直接由集成电路驱动。 RFM系列采用JEDEC TO - 204AA钢制封装。
商品特性
- 先进全新设计
- 雪崩耐用技术
- 坚固栅氧化层技术
- 极低本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:40nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):1.5Ω(典型值)