ISL9N304AS3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ISL9N304AS3ST
- 商品编号
- C3281688
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 145W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.075nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
专为汽车应用设计，这款HEXFET功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，这一优势为设计师提供了一款极其高效可靠的器件，可用于汽车及各种其他应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在结温最大值（Tjmax）下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车应用认证