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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDB5680

1个N沟道 耐压:60V 电流:40A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDB5680
商品编号
C3281670
商品封装
TO-263AB​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)65W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)1.85nF
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-65℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)230pF

商品特性

  • 40 A、60 V。 RDS(ON) = 0.020 Ω(VGS = 10 V 时)
  • RDS(ON) = 0.023 Ω(VGS = 6 V 时)
  • 规定了高温下的关键直流电气参数。
  • 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
  • 采用高性能趋势技术,实现极低的 \mathsfRDS(ON)
  • 最高结温额定值为 175℃。

应用领域

-DC-DC转换器-开关模式和谐振模式电源-交流和直流电机驱动器-激光驱动器、点火器、射频发生器-机器人技术和伺服控制

数据手册PDF