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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品特性
- 高压封装（TO - 263HV）
- 快速开关时间
- 雪崩额定
- Rds(on) HDMOST™ 工艺
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 扩展的正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 高功率密度
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 反激式逆变器
- 直流斩波器