FDB8880
N沟道,电流:54A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8880
- 商品编号
- C3281658
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品特性
- rDS(ON) = 14.5 mΩ,VGS = 4.5 V,ID = 40 A
- rDS(ON) = 11.6 mΩ,VGS = 10 V,ID = 40 A
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器