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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.65nF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.7nF |
商品特性
- RDS(ON) = 0.0045Ω(VGS = 4.5V 时)
- 80 A、30 V,RDS(ON) = 0.0035Ω(VGS = 10V 时)
- 规定了高温下的关键直流电气参数
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 最高结温额定值为175°C