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NP160N055TUK-E1-AY实物图
  • NP160N055TUK-E1-AY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP160N055TUK-E1-AY

N沟道,电流:160A,耐压:55V

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商品型号
NP160N055TUK-E1-AY
商品编号
C3281630
商品封装
TO-263-6​
包装方式
编带
商品毛重
1.974克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))2.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)189nC@10V
输入电容(Ciss)11.25nF
反向传输电容(Crss)490pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.16nF

商品特性

  • 超低导通电阻
  • 最大导通电阻RDS(on) = 2.10 mΩ(VGS = 10 V,ID = 80 A)
  • 低输入电容Ciss:典型值Ciss = 7500 pF(VDS = 25 V)
  • 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准

应用领域

  • 计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备

数据手册PDF