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IXTA2R4N120P实物图
  • IXTA2R4N120P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTA2R4N120P

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:2.4A

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描述
特性:国际标准封装。 低Q。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 高功率密度。应用:DC-DC转换器。 开关模式和共振模式电源
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTA2R4N120P
商品编号
C3281653
商品封装
TO-263AA​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V,500mA
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)37nC@10V
输入电容(Ciss)1.207nF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

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(50个/管,最小起订量 1 个)
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