RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
100V,250A,N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
- 商品编号
- C3281635
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.974克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 348W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 极低的导通电阻
- 最大RDS(on) = 2.4 mΩ(VGS = 10 V,ID = 125 A)
- 低输入电容
- 典型Ciss = 9500 pF(VDS = 50 V)
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 无铅(该产品外部电极不含铅)
应用领域
-汽车领域
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