SUM70030M-GE3
N沟道,电流:150A,耐压:100V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM70030M-GE3
- 商品编号
- C3281633
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.974克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 214nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载开关(UIS)测试
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理
- 或门二极管/电子保险丝