SUM60030E-GE3
N沟道,电流:120A,耐压:80V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM60030E-GE3
- 商品编号
- C3281571
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 141nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.91nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 348pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷QG
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 功率因数校正（PFC）电路
- 交流和直流电机驱动
- 机器人和伺服控制