RF1S70N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RF1S70N03
- 商品编号
- C3281521
- 商品封装
- TO-262AA
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.75nF |
商品概述
- 专有α MOS5技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数，提升电磁干扰（EMI）性能
- 增强型体二极管，具备高可靠性和快速反向恢复能力
应用领域
- 开关电源（SMPS）反激式电路
- 充电器、PD适配器、电视、照明设备