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NP100P06PDG-E1-AY

1个P沟道耐压:60V 电流:100A

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描述: 本产品是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: NP100P06PDG-E1-AY
商品编号: C3281532
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 2.4克(g)

商品参数

商品概述

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。通孔版本（IRF1407L）适用于薄型应用。

商品特性

超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速开关
允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	7.8mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	200W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	300nC
	输入电容(Ciss)	15nF@10V
	反向传输电容(Crss)	840pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道