温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SUM45N25-58-E3
1个N沟道 耐压:250V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 175℃结温。 新型低热阻封装。应用：初级侧开关。 等离子显示板维持功能
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM45N25-58-E3
- 商品编号
- C3281553
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 175°C结温
- 新型低热阻封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 初级侧开关
- 等离子显示屏维持功能
相似推荐
其他推荐
- SQM40031EL_GE3
- SUM90142E-GE3
- SQM120P10_10M1LGE3
- SUM60030E-GE3
- SQM100P10-19L_GE3
- SQM120N02-1M3L_GE3
- SUM70030M-GE3
- IRFS11N50ATRLP
- SIHFPS38N60L-GE3
- SQ3426AEEV-T1_BE3
- SQ3418AEEV-T1_BE3
- SQ3493EV-T1_GE3
- SI3483DDV-T1-GE3
- SQ3425EV-T1_BE3
- SQ3457EV-T1_BE3
- SQ3495EV-T1_GE3
- SQ3985EV-T1_BE3
- SI3458BDV-T1-BE3
- SI6415DQ-T1-GE3
- SI6423ADQ-T1-GE3
- SQR100N04-3M8R_GE3