NP100N055PUK-E1-AY
N通道,电流:100A,耐压:55V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP100N055PUK-E1-AY
- 商品编号
- C3281541
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
NP110N055PUK是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 极低导通电阻
- 最大导通电阻RDS(on) = 1.75 mΩ（VGS = 10 V，ID = 55 A）
- 低输入电容：典型输入电容Ciss = 10700 pF（VDS = 25 V）
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
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