温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SUM60061EL-GE3
1个P沟道 耐压:80V 电流:150A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。最大结温175℃。低RDS(on)，可降低传导损耗。与逻辑电平栅极驱动兼容。100%进行Rg和UIS测试。应用：电池保护。电机驱动控制
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUM60061EL-GE3
- 商品编号
- C3281550
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 218nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该产品是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 超低导通电阻：RDS(on)最大为5.3 mΩ（VGS = -10 V，ID = -41.5 A）
- RDS(on)最大为8.0 mΩ（VGS = -4.5 V，ID = -41.5 A）
- 低输入电容：Ciss典型值为9820 pF
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 无铅（该产品外部电极不含铅）
应用领域
- 汽车领域
相似推荐
其他推荐
- SUM45N25-58-E3
- SQM40031EL_GE3
- SUM90142E-GE3
- SQM120P10_10M1LGE3
- SUM60030E-GE3
- SQM100P10-19L_GE3
- SQM120N02-1M3L_GE3
- SUM70030M-GE3
- IRFS11N50ATRLP
- SIHFPS38N60L-GE3
- SQ3426AEEV-T1_BE3
- SQ3418AEEV-T1_BE3
- SQ3493EV-T1_GE3
- SI3483DDV-T1-GE3
- SQ3425EV-T1_BE3
- SQ3457EV-T1_BE3
- SQ3495EV-T1_GE3
- SQ3985EV-T1_BE3
- SI3458BDV-T1-BE3
- SI6415DQ-T1-GE3
- SI6423ADQ-T1-GE3