NP109N055PUK-E1-AY
N沟道MOSFET,电流:55A,耐压:55V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP109N055PUK-E1-AY
- 商品编号
- C3281539
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 189nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.16nF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装（IRFR9120、SiHFR9120）
- 直引脚（IRFU9120、SiHFU9120）
- 提供卷带包装
- P沟道
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 无卤
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