RFM12N10
N沟道增强型MOSFET,电流:12A,耐压:100V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFM12N10
- 商品编号
- C3281766
- 商品封装
- TO-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
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