2N6761
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@4mA | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 超快体二极管可消除零电压开关（ZVS）应用中对外部二极管的需求
- 较低的栅极电荷简化了驱动要求
- 增强的dV/dt能力提高了器件的耐用性
- 较高的栅极电压阈值增强了抗噪能力
应用领域
- 零电压开关开关电源（SMPS）
- 电信和服务器电源
- 不间断电源
- 电机控制应用