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IXFQ8N85X实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFQ8N85X

1个N沟道 耐压:850V 电流:8A

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFQ8N85X
商品编号
C3281780
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))850mΩ@10V
耗散功率(Pd)200W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)654pF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司的PowerTrench®工艺制造,该工艺经过优化,可在保持卓越开关性能的同时,将导通电阻降至最低。 NP二极管是一种超快速整流器,具有低正向压降和出色的开关性能。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 高压封装
  • 低RDS(ON)和 QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF