2N6757
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- 8A和9A,150V - 200V
- 导通电阻rDS(on) = 0.4Ω和0.6Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
- 固态断路器-软启动控制器-线性放大器-可编程负载-电流调节器