2N6760TXV
1个N沟道 耐压:400V 电流:5.5A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- 2N6760TXV
- 商品编号
- C3281771
- 商品封装
- TO-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
HEXFET技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。HEXFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。HEXFET晶体管还具备MOSFET所有已确立的优势，如电压控制、快速开关、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 4.5A和5.5A,350V - 400V
- 导通电阻rDS(on) = 1.0Ω和1.5Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
- 开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路