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场效应管(MOSFET)
IRF122
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对比
IRF122
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
SMT
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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
IRF122
商品编号
C3281776
商品封装
TO-3
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
9.2A
导通电阻(RDS(on))
360mΩ
耗散功率(Pd)
60W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
-
栅极电荷量(Qg)
-
输入电容(Ciss)
-
工作温度
-
类型
N沟道
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