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IRFR9120TRLPBF-BE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR9120TRLPBF-BE3

1个P沟道 耐压:100V 电流:5.6A

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描述
第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR9120TRLPBF-BE3
商品编号
C3281502
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)390pF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)170pF

数据手册PDF

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