IRF830LPBF
N沟道,电流:2.9A,耐压:500V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF830LPBF
- 商品编号
- C3281520
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 最高结温175°C
- 低导通电阻RDS(on)，可最大程度降低传导损耗
- 与逻辑电平栅极驱动兼容
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 电池保护
- 电机驱动控制
- 负载开关
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