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SQD50P06-15L_GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，低热阻。100%进行Rg和UIS测试。通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD50P06-15L_GE3
- 商品编号
- C3281500
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.593克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 606pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
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