SUD20N10-66L-BE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:16.9A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD20N10-66L-BE3
- 商品编号
- C3281488
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 41.7W；2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 直流-直流转换器
- 直流-交流逆变器
- 电机驱动器
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