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SQD19P06-60L_T4GE3
汽车级P沟道60V MOSFET,电流:20A,耐压:60V
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD19P06-60L_T4GE3
- 商品编号
- C3281491
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
- 低热阻的TrenchFET功率MOSFET封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用
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