温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQD19P06-60L_T4GE3
汽车级P沟道60V MOSFET,电流:20A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD19P06-60L_T4GE3
- 商品编号
- C3281491
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- SUD23N06-31-BE3
- SQD25N15-52-T4_GE3
- SQD50P03-07-T4_GE3
- SUD90330E-BE3
- SQD100N02_3M5L4GE3
- IRFR110TRPBF-BE3
- SQD50P06-15L_GE3
- IRFR120PBF-BE3
- IRFR9120TRLPBF-BE3
- IRF830LPBF
- SUM60061EL-GE3
- SUM45N25-58-E3
- SQM40031EL_GE3
- SUM90142E-GE3
- SQM120P10_10M1LGE3
- SUM60030E-GE3
- SQM100P10-19L_GE3
- SQM120N02-1M3L_GE3
- SUM70030M-GE3
- IRFS11N50ATRLP
- SIHFPS38N60L-GE3