FQD5N60CTM-WS
N沟道,电流:2.8A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD5N60CTM-WS
- 商品编号
- C3281490
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品概述
- 专有α MOS5技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 优化开关参数，改善电磁干扰性能
- 增强型体二极管，具备高可靠性和快速反向恢复能力
应用领域
- 采用PFC、反激式和LLC拓扑的开关电源-采用DC/AC逆变器拓扑的微型逆变器